硒化铅
硒化铅是铅的硒化物，化学式为PbSe，它是一种半导体材料，是具有NaCl结构的立方晶体。它的直接带隙在室温下为0.27 eV[注1]。[2]
| 硒化铅 | |
|---|---|
 | |
| 英文名 | |
| 识别 | |
| CAS号 | 12069-00-0  |
| PubChem | 61550 |
| SMILES |
|
| 性质 | |
| 化学式 | PbSe |
| 286.16 g/mol g·mol⁻¹ | |
| 密度 | 8.1 g/cm3 |
| 熔点 | 1078 °C（1351 K） |
| 溶解性（水） | 难溶 |
| 结构 | |
| 晶体结构 | Halite (cubic), cF8 |
| 空间群 | Fm3m, No. 225 |
| 晶格常数 | a = 6.12 Angstroms [1] |
| 配位几何 | Octahedral (Pb2+) Octahedral (Se2−) |
| 危险性 | |
| 警示术语 | R：R61, R20/22, R23/25, R33, R62, R50/53 |
| 安全术语 | S：S1/2, S20/21, S28, S53, S45, S60, S61 |
| 欧盟分类 | Repr. Cat. 1/3 Toxic (T) Harmful (Xn) Dangerous for the environment (N) |
| 相关物质 | |
| 其他阴离子 | 一氧化铅 硫化铅 碲化铅 |
| 其他阳离子 | 一硒化碳 一硒化硅 一硒化锗 硒化亚锡 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
注释
注1. 需要注意一些文献会错误地将PbSe和其它IV–VI当作间接带隙半导体材料。[4]
参考文献
- . Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter: 1–4. [2017-10-24]. doi:10.1007/10681727_903. （原始内容存档于2016-09-16）.
- Ekuma, C. E.; Singh, D. J.; Moreno, J.; Jarrell, M. . Physical Review B. 2012, 85 (8). Bibcode:2012PhRvB..85h5205E. doi:10.1103/PhysRevB.85.085205.
- 姚官生, 司俊杰, 陈凤金. 化学沉淀法制备硒化铅薄膜[J]. 低温与超导, 2009, 37(9):73-76.
- Kittel, Charles. 6th. New York: Wiley & Sons. 1986. ISBN 978-0-471-87474-4.
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.